基本信息
中文名称 | 氧化镓 | 英文名称 | Gallium(Iii) Oxide (Metals Basis) |
中文别名 | 三氧化二镓; | 英文别名 | Gallium oxide;Gallium trioxide;Gallium(III) oxide;oxo(oxogallanyloxy)gallane; |
CAS号 | 12024-21-4 | 分子式 | Ga2O3 |
分子量 | 187.44400 | 精确质量 | 185.83600 |
PSA | 43.37000 | LOGP | -0.84260 |
物化性质
外观与性状：
白色三角形的结晶颗粒。不溶于水。微溶于热酸或碱溶液。熔点1900℃(在600℃时转化为β型)。易溶于碱金属氢氧化物和稀无机酸。有α，β两种变体。α型为白色菱形六面体。
密度：
5.88
熔点：
1740ºC
折射率：
1.92
稳定性：
Stable. Incompatible with magnesium.
储存条件：
库房通风低温干燥
安全信息
安全说明：
S24/25
生产方法及用途
生产方法
1.向三氯化镓GaCl3的热水溶液中加NaHCO3的高浓热水溶液,煮沸到镓的氢氧化物全部沉淀出来为止。用热水洗涤沉淀至没有Cl-为止,在600℃以上煅烧则得到β-Ga2O3。残留NH4Cl时,在250℃就和Ga2O3反应,生成挥发性GaCl3。
2.这是高纯Ga2O3的制法。以高纯金属Ga为阳极,溶解于5%～20%H2SO4溶液里,向溶液加氨水,冷却,将Ga(N
H4)(S
O4)2反复结晶,在105℃干燥,在过量氧的条件下在800℃灼烧2h,则得到纯度为9
9 99%～99.9999%的产品。
3.称取1kg99.9999%的高纯镓放入三颈烧瓶中,加入高纯硝酸,使镓全部溶解,然后过滤,滤液倒入三颈烧瓶中,移至电炉上蒸发(在通风橱中进行),浓缩到接近结晶时,将溶液移置于大号蒸发皿中蒸发至干。将蒸干的Ga(N
O3)3放在马弗炉中进行灼烧,温度控制在550℃,灼烧5h,待冷却后取出成品,得1.2kg高纯氧化镓。
用途
用作高纯分析试剂、用于电子工业半导体材料制备。
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